存储器装置
公开
摘要
公开了一种存储器装置。所述存储器装置包括:外围电路区域,包括第一基底和位于第一基底上的电路元件,电路元件的至少一部分提供源极驱动器;以及单元区域,包括在与第一基底的上表面垂直的第一方向上与外围电路区域堆叠的第二基底以及在与所述第二基底的上表面平行的第二方向上布置的单元块和虚设块。每个单元块包括交替地堆叠在第二基底上的栅电极层和绝缘层以及沿第一方向延伸以穿透栅电极层和绝缘层并连接到第二基底的沟道结构,虚设块之中的至少一个源极接触块包括位于第二基底上的第一虚设绝缘区域以及沿第一方向延伸、穿透第一虚设绝缘区域并连接到第二基底的源极接触件,并且源极接触件在单元区域的上部中通过金属布线连接到源极驱动器。
基本信息
专利标题 :
存储器装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373496A
申请号 :
CN202111025381.5
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-09-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金玧志金胜渊南尚完全哄秀赵志虎
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道水原市
代理机构 :
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 :
刘美华
优先权 :
CN202111025381.5
主分类号 :
G11C16/10
IPC分类号 :
G11C16/10 G11C16/26 G11C16/04 G11C8/14 G11C8/10 G11C7/18 G06F13/16 G06F12/0882
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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