支持DBI接口的存储器件和存储器件的操作方法
公开
摘要
一种存储器件包括存储单元阵列、页面缓冲器、控制逻辑电路、多个输入/输出引脚、数据总线反转(DBI)引脚和接口电路。所述页面缓冲器连接到所述存储单元阵列。所述控制逻辑电路被配置为控制所述存储单元阵列的操作。所述多个输入/输出引脚从所述控制器接收多个数据信号。所述DBI引脚从所述控制器接收DBI信号。所述接口电路对来自所述数据信号和DBI信号的具有逻辑值1的位的第一数量和具有逻辑值0的位的第二数量进行计数，并且基于所述第一数量和所述第二数量向所述页面缓冲器或所述控制逻辑电路提供所述数据信号。
基本信息
专利标题 ：
支持DBI接口的存储器件和存储器件的操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114333946A
申请号 ：
CN202111107361.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹永慜郑秉勋金东成尹治元李善奎
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111107361.2
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G06F13/38
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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