包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)
实质审查的生效
摘要
本公开涉及包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)。一种相变存储器(PCM)器件，包括：电介质层；底部电极，所述底部电极设置在所述电介质层中；衬垫材料，所述衬垫材料设置在所述底部电极上；相变材料，所述相变材料设置在所述衬垫材料上；以及顶部电极，所述顶部电极设置在所述相变材料上和所述电介质层中。
基本信息
专利标题 ：
包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284429A
申请号 ：
CN202111118624.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宁J·P·德索扎K·W·布里D·K·萨达纳
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
边海梅
优先权 ：
CN202111118624.X
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20210924
申请日 : 20210924
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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