包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)
实质审查的生效
摘要

本公开涉及包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)。一种相变存储器(PCM)器件,包括:电介质层;底部电极,所述底部电极设置在所述电介质层中;衬垫材料,所述衬垫材料设置在所述底部电极上;相变材料,所述相变材料设置在所述衬垫材料上;以及顶部电极,所述顶部电极设置在所述相变材料上和所述电介质层中。

基本信息
专利标题 :
包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284429A
申请号 :
CN202111118624.X
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-09-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李宁J·P·德索扎K·W·布里D·K·萨达纳
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 :
边海梅
优先权 :
CN202111118624.X
主分类号 :
H01L45/00
IPC分类号 :
H01L45/00  
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20210924
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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