一种用于GM-APD的可屏蔽式光电流检测电路
授权
摘要
本发明属于集成电路领域，公开了一种应用于雪崩二极管盖革模式(GM‑APD)下的可屏蔽式光电流检测电路。该电路通过开关MOS管与数字逻辑运算电路实现对GM‑APD光电流的提取、淬灭以及检测状态输出。其优点在于能够根据电路状态和输入信号对APD进行主动淬灭和快速偏置复位；能够根据输入的像素使能信号实现单个像素的屏蔽；能够在光电流较大时开启过流保护机制，限制APD端口电压过高；能够实现像素级联，适用于阵列式光电流检测。
基本信息
专利标题 ：
一种用于GM-APD的可屏蔽式光电流检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113820011A
申请号 ：
CN202111123081.0
公开（公告）日 ：
2021-12-21
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
CN113820011B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
甄少伟赵冰清熊海亮刘子意杨芮谢泽亚张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202111123081.0
主分类号 ：
G01J1/44
IPC分类号 ：
G01J1/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
G01J1/44
电路
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 1/44
申请日 : 20210924
申请日 : 20210924
2021-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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