本文的实施例总体上涉及用于当与从基板径向地向内的区域相比时减小在基板的周边边缘处或附近的不均匀材料去除率的化学机械抛光(CMP)系统和方法。在一个实施例中，一种抛光系统包括：基板载体，所述基板载体包括用于在抛光工艺期间包围待处理基板的环形扣环；以及抛光工作台。抛光工作台包括圆柱形金属主体，所述圆柱形金属主体具有垫安装表面。垫安装表面包括多个抛光区，所述多个抛光区包括具有圆形形状或环形形状的第一区、外接第一区的第二区、以及外接第二区的第三区。第二区的表面从与第二区相邻第一区和第三区的表面凹入，并且第二区的宽度小于环形扣环的外径。