基于高温超导技术的双频匹配、二次谐波太赫兹混频器
授权
摘要
本发明涉及一种基于高温超导技术的双频匹配、二次谐波太赫兹混频器，属于高温超导以及谐波混频器技术领域。所述太赫兹混频器，包括薄膜、介质基底、缝隙天线以及透镜；薄膜生长在介质基底一端，透镜装在介质基底的另一端；薄膜的长宽尺寸一般大于缝隙天线的1‑2倍；介质基底的材料选取MgO，其长宽尺寸与薄膜一致，其厚度范围为200‑1000μm；缝隙天线由薄膜上的一系列缝隙组成。所述太赫兹混频器具有噪声低与本振功率低的优点；在不影响射频与本振信号的情况下，将变频后的中频信号引出，简单实用；在太赫兹通信领域有着非常大的应用前景；也可进行高次谐波、基波的有源与无源混频。
基本信息
专利标题 ：
基于高温超导技术的双频匹配、二次谐波太赫兹混频器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113823888A
申请号 ：
CN202111127833.0
公开（公告）日 ：
2021-12-21
申请日 ：
2021-09-26
授权号 ：
CN113823888B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李焕新高翔卜祥元安建平刘珩
申请人 ：
北京理工大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张利萍
优先权 ：
CN202111127833.0
主分类号 ：
H01P1/213
IPC分类号 ：
H01P1/213 H01Q15/00
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/213
申请日 : 20210926
申请日 : 20210926
2021-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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