用于防止再沉积的基准保护的沉积屏蔽
公开
摘要
用于防止再沉积的基准保护的沉积屏蔽。由于衬底的带电粒子束（CPB）或激光束铣削而产生的在基准上的衬底材料再沉积可用在衬底表面上形成的屏蔽来减少。所述屏蔽典型地具有可基于待铣削的区域与所述基准的接近度而选择的合适高度。所述屏蔽可使用束辅助化学气相沉积（CVD）而用铣削束形成。相同或不同的束可用于铣削和束辅助CVD。
基本信息
专利标题 ：
用于防止再沉积的基准保护的沉积屏蔽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334907A
申请号 ：
CN202111143887.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·摩根-琼斯M·纳加里安M·施米德特V·伯德
申请人 ：
FEI公司
申请人地址 ：
美国俄勒冈州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
钟茂建
优先权 ：
CN202111143887.6
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01J37/305 C23C16/06 C23C16/26 C23C16/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
