发光装置及投影仪
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有c面区域，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构，且具有构成所述c面区域的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
基本信息
专利标题 ：
发光装置及投影仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361946A
申请号 ：
CN202111187770.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野田贵史石沢峻介岸野克巳
申请人 ：
精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
申请人地址 ：
日本东京新宿区新宿四丁目1番6号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111187770.8
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/343
申请日 : 20211012
申请日 : 20211012
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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