耐高温高介电Mxene-聚芳醚腈复合膜的制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种耐高温高介电Mxene/聚芳醚腈复合膜的制备方法，属于高分子介电材料技术领域。本发明的目的是针对现有高介电复合薄膜耐温低，制备工艺繁琐等缺点，提出了一种简单的分步超声共混法联合原位增容流延成膜的方法制备单层和多层Mxene/聚芳醚腈复合膜。所得到的薄膜具有优异的热性能和力学性能，高的介电常数和击穿强度，可应用在耐高温电子电器绝缘材料、耐高温薄膜电容器、柔性覆铜板等领域。本发明的制备方法简单且易于工业化放大。
基本信息
专利标题 ：
耐高温高介电Mxene-聚芳醚腈复合膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113913010A
申请号 ：
CN202111189688.9
公开（公告）日 ：
2022-01-11
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
CN113913010B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
黄宇敏任开绪彭军徐皓禹刘孝波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111189688.9
主分类号 ：
C08L71/00
IPC分类号 ：
C08L71/00 C08K3/14 C08K9/04 C08K3/28 C08J5/18 C08J7/04 H01G4/33 H01G4/18 H01B3/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L71/00
由主链中形成醚键合的反应得到的聚醚的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-01-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08L 71/00
申请日 : 20211013
申请日 : 20211013
2022-01-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113913010A.PDF
PDF下载
