FinFET的半导体脊中的均匀植入区域
公开
摘要
本申请案的实施例涉及FinFET的半导体脊中的均匀植入区域。本发明揭示一种用于制作集成电路(100)的方法。所述方法包括：在衬底(102)的半导体表面上方形成半导体脊(104)，及在所述半导体脊(104)的顶部(210)及侧壁(220、230)上形成植入屏蔽物(410)。相比于在所述半导体脊(104)的所述侧壁(220、230)上，所述植入屏蔽物(410)在所述半导体脊(104)的所述顶部(210)上是至少两倍厚。所述方法进一步包括：将掺杂剂植入到所述半导体脊(104)的所述顶部(210)及所述侧壁(220、230)中。
基本信息
专利标题 ：
FinFET的半导体脊中的均匀植入区域
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388439A
申请号 ：
CN202111196124.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄名叶
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN202111196124.8
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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