MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用
实质审查的生效
摘要
本公开的各实施例涉及MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用。一种集成电路包括第一衬底。MOS晶体管具有第一多晶硅区，该第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区。第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离。第二多晶硅区包括MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区。第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。
基本信息
专利标题 ：
MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446954A
申请号 ：
CN202111216585.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·弗纳拉
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202111216585.7
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/66 H01L29/08 H01L29/423 H01L29/78 G01D5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20211019
申请日 : 20211019
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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