一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置
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摘要
本发明提供一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置，包括匀强磁场发生装置和磁场屏蔽装置；所述匀强磁场发生装置用于生成匀强磁场；包括双向对称、共轭放置的4块永磁体；所述磁场屏蔽装置设置在所述匀强磁场发生装置外部，用于向外屏蔽所述匀强磁场。本发明的强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置能够实现两组小型化正负电子磁谱仪探头所需的匀强磁场，满足小型化的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114156040A
申请号 ：
CN202111307837.7
公开（公告）日 ：
2022-03-08
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
CN114156040B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
叶雨光邹鸿宗秋刚
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202111307837.7
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02 G01T1/36
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F7/00
磁体
H01F7/02
永久磁体
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-03-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 7/02
申请日 : 20211105
申请日 : 20211105
2022-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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