一种半导体级石墨粉的纯化方法

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摘要

本发明公开了一种半导体级石墨粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是将待纯化的石墨粉置于感应加热炉内，在1800‑2200℃的条件下将感应加热炉腔体抽气至真空状态，随后将氯化氢与氩气的混合气体通入腔体，通气至压力为700‑900 mbar，维持2‑4 h，使腔体内氯化氢气体与杂质充分反应，随后抽气将炉体压力降低至近真空状态；本发明解决了石墨粉中高沸点的金属单质及金属化合物杂质去除率较低的问题；降低了整个纯化过程的危险性。

基本信息

专利标题：

一种半导体级石墨粉的纯化方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN113735110A

申请号：

CN202111311118.2

公开（公告）日：

2021-12-03

申请日：

2021-11-08

授权号：

CN113735110B

授权日：

2022-05-13

发明人：

许正赵丽霞魏汝省马康夫方芃博陈琪李刚张辰宇靳霄曦张馨丹

申请人：

山西烁科晶体有限公司

申请人地址：

山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号

代理机构：

太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

崔雪花

优先权：

CN202111311118.2

主分类号：

C01B32/215

IPC分类号：

C01B32/215