一种碲化铋材料表面处理方法
公开
摘要
本发明涉及热电技术领域，为解决常规的碲化铋表面由于Ni层过厚导致器件负载增加、制冷温差降低，并且工艺复杂、成本较高，Ni层与碲化铋的结合力差、TEC可靠性不够高的一系列问题，本发明提出了一种碲化铋材料表面处理技术，利用离子注入与多弧镀或者磁控溅射等真空镀技术复合处理的工艺，提高碲化铋与Ni层的结合力，降低TEC的内部负载，提高温差，同时由于Ni层与碲化铋基体的结合力提高，使得TEC产品的可靠性得到优化。
基本信息
专利标题 ：
一种碲化铋材料表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561623A
申请号 ：
CN202111316673.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
翟仁爽吴永庆阮炜
申请人 ：
杭州大和热磁电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202111316673.4
主分类号 ：
C23C14/48
IPC分类号 ：
C23C14/48 C23C14/18 C23C14/32 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/48
离子注入
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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