具有埋入的光学隔离的像素
公开
摘要
本发明提供一种图像传感器，其包括光接收侧(Fa)并且在衬底(100)中包括可以将从光接收侧(Fa)接收的光转换成电荷的光电转换区(PD)、可以存储从光电转换区转移的电荷的存储区(SN)以及存储区的光学隔离元件。光学隔离元件(60)埋在衬底中在光接收侧与存储区之间。
基本信息
专利标题 ：
具有埋入的光学隔离的像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520241A
申请号 ：
CN202111337035.0
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Q·阿巴迪F·艾尔C·吉鲁德-加兰彭伊冯·卡佐
申请人 ：
法国原子能源和替代能源委员会
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
王艳波
优先权 ：
CN202111337035.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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