扩展装置和扩展方法
公开
摘要
提供扩展装置和扩展方法，能够将在被加工物上产生未被分割的区域的可能性抑制得较低。扩展装置对粘贴有形成有作为分割起点的改质层的被加工物的扩展片进行扩张而对被加工物进行分割，该扩展装置包含：扩张机构，其对扩展片进行扩张；以及冷却单元，其以使扩展片的环状框架的内缘与被加工物的外缘之间的区域的温度比扩展片的比被加工物的外缘靠内侧的区域的温度低的方式进行冷却。
基本信息
专利标题 ：
扩展装置和扩展方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512421A
申请号 ：
CN202111345445.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈晔
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111345445.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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