一种基于法拉第效应的反射式光纤磁场传感器
实质审查的生效
摘要
本公开揭示了一种基于法拉第效应的反射式光纤磁场传感器，包括：第一保偏光纤，所述第一保偏光纤的输出端连接第一光纤准直器，所述第一光纤准直器的输出端通过第一偏振片连接磁光晶体，所述磁光晶体的输出端通过第二偏振片连接直角反射棱镜，所述直角反射棱镜的输出端连接石英镀膜干涉腔，所述石英镀膜干涉腔的输出端连接第二光纤准直器，所述第二光纤准直器的输出端连接第二保偏光纤。
基本信息
专利标题 ：
一种基于法拉第效应的反射式光纤磁场传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114384450A
申请号 ：
CN202111346247.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文韬李佳讯陈维江张乔根边凯靳铭凯董冰冰赵毅张广金傅中吴正阳
申请人 ：
西安交通大学;国家电网有限公司;合肥工业大学;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
覃婧婵
优先权 ：
CN202111346247.5
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/032
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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