一种提高固态硬件存储性能方法及装置
公开
摘要

本发明公开了一种提高固态硬件存储性能方法及装置,涉及固态硬盘存储领域,该方法包括记录各个SSD(Solid State Drive,固态硬盘)块区写入待读取数据的写入时间;接到任一SSD块区读取命令后,依照存储时长与偏移电压的对应关系,以对应的偏移电压读取所述待读取数据;所述存储时长与偏移电压的对应关系由测试数据在不同SSD块区存储不同的时间后,记录成功读取所述测试数据所使用的偏移电压所得到,本发明减少了因为长时间存储劣化造成的重读次数,进而提升了SSD的数据读取性能,减少了主机响应延迟,减少了SSD错误处理的开销。

基本信息
专利标题 :
一种提高固态硬件存储性能方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114300027A
申请号 :
CN202111369308.X
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-11-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李悦弗兰克·陈李晓龙
申请人 :
至誉科技(武汉)有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路特一号关南工业园2号厂房2-3楼西面
代理机构 :
武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
韩梦晴
优先权 :
CN202111369308.X
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26  G11C16/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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