RAM的读写控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种RAM的读写控制方法，其包括如下步骤：a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块，获取输入数据的位宽信息；b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比；c.产生RAM写使能信号与写地址信息，根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内；d.产生RAM读使能信号与读地址信息，根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。本发明的RAM的读写控制方法减少了开发人员的重复性工作，且可适用于同一个项目中不同的模块以及不同的项目模块，提高了通用性。
基本信息
专利标题 ：
RAM的读写控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114265796A
申请号 ：
CN202111386213.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵强
申请人 ：
四川和芯微电子股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区吉泰路33号1栋801、1栋901、1栋902
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111386213.9
主分类号 ：
G06F13/16
IPC分类号 ：
G06F13/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F13/00
信息或其他信号在存储器、输入/输出设备或者中央处理机之间的互连或传送
G06F13/14
对互连或传送请求的处理
G06F13/16
关于访问存储器总线的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 13/16
申请日 : 20211122
申请日 : 20211122
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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