垂直向中子相机屏蔽与准直结构
实质审查的生效
摘要
本发明属于聚变等离子体诊断技术,具体涉及一种垂直向中子相机屏蔽与准直结构。包括外层铅壳、设于外层铅壳上部的准直管、设于外层铅壳下部的后段腔室,以及设于外层铅壳内的填充材料;外层铅壳包括前端铅层和管末铅层,还包括中段侧面铅层、后段外侧铅层和后端铅层,前端铅层和管末铅层之间填充中段填充材料,后段腔室内中心位置设有后段空腔。两侧的中段侧面铅层倾斜固定,这样设计能够较为有效的屏蔽来自外侧环境的γ射线,相较于垂直固定可以节省空间并减少由填充材料引起的γ射线,大幅减少到达中子探测器的散射中子。
基本信息
专利标题 :
垂直向中子相机屏蔽与准直结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114283952A
申请号 :
CN202111401763.3
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-11-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴润臧临阁屈玉凡
申请人 :
核工业西南物理研究院
申请人地址 :
四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
代理机构 :
核工业专利中心
代理人 :
高安娜
优先权 :
CN202111401763.3
主分类号 :
G21B1/25
IPC分类号 :
G21B1/25 G21F1/08 G21F1/10 G21F1/12 G21K1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理;核工程
G21B
聚变反应堆
G21B1/00
热核聚变反应堆
G21B1/25
维护,例如,修补或细微检查
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G21B 1/25
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载