一种检测ATP的荧光比率传感器及其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种检测ATP的荧光比率传感器及其制备方法与应用。该检测ATP的荧光比率传感器的结构中包括单根硅纳米线，包裹在所述单根硅纳米线表面的异硫氰酸荧光素@SiO2壳层，以及修饰在壳层表面的罗丹明B二亚乙基三胺荧光分子。该荧光比率传感器对ATP具有良好的比率响应，优异的选择性，可逆性以及光稳定性，可以实现单细胞内不同位点ATP的高空间分辨检测。
基本信息
专利标题 ：
一种检测ATP的荧光比率传感器及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324264A
申请号 ：
CN202111403921.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
师文生梅明亮穆丽璇
申请人 ：
中国科学院理化技术研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村东路29号
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
赵晓丹
优先权 ：
CN202111403921.9
主分类号 ：
G01N21/64
IPC分类号 ：
G01N21/64 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/64
荧光；磷光
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/64
申请日 : 20211124
申请日 : 20211124
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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