公开了磁场传感器结构和及其制造方法。磁场传感器结构至少包括集成在单个芯片上的磁阻传感器组件和晶体管组件。晶体管组件至少包括半导体装置和第一互连部。该方法包括在晶体管组件上沉积介电层。该方法包括去除介电层的一些部分以形成第一沟槽。该方法包括执行镶嵌过程以在第一沟槽内形成超厚金属层，从而创建第一金属线圈。第一金属线圈被配置为第一复位部件。该方法包括在第一金属线圈上沉积另一介电层。该方法包括在另一介电层内形成通量引导件。该方法包括在另一介电层上形成第二金属线圈。第二金属线圈被配置为第二复位部件。第一复位部件和第二复位部件被配置为复位机构，其配置成响应于晶体管组件且可操作以将通量引导件磁化到预定方向。