半导体装置
公开
摘要
一种半导体装置包括：衬底上的有源图案；埋置在有源图案的上部的栅极结构；有源图案上的位线结构；位线结构的侧壁上的间隔件结构；接触间隔件结构的接触插塞结构；绝缘中间层结构，其部分地穿过所述接触插塞结构、所述间隔件结构和所述位线结构的上部；以及所述接触插塞结构上的电容器。所述间隔件结构包括具有空气的空气间隔件。所述绝缘中间层结构包括第一绝缘中间层以及第二绝缘中间层。所述第二绝缘中间层可包括与所述第一绝缘中间层的材料不同的绝缘材料。所述第二绝缘中间层的下表面覆盖所述空气间隔件的顶部，并且所述第一绝缘中间层的最下表面被所述第二绝缘中间层覆盖。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551448A
申请号 ：
CN202111414765.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳琼善李德喜李准原崔允硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111414765.6
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/764
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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