一种硅电极的再生加工方法
公开
摘要
本发明公开了一种硅电极的再生加工方法，包括以下步骤：S1:外观检验；S2:尺寸测量；S3：双面LAPPING，在弱碱性环境下用双面研磨机对硅电极表面损伤进行去除再生；S4：煮沸清洗，将硅电极放入加热槽中煮沸，导入化学洗净剂，进行洗涤，然后在纯水槽中浸泡冲洗，并通入超声波去除硅电极表面杂质；S5：化学刻蚀，在酸液中对硅电极整体刻蚀，去除表面损伤缺陷；S6：抛光处理，在碱性抛光液条件下用抛光机对硅电极非装配表面进行抛光；S7：洗净处理，用酸液对硅电极进行清洗；S8：最终检测；S9：烘干包装。采用了双面研磨技术，能够有效去除硅表面的使用痕迹和损伤缺陷，并对表面离子沾污进行清洗，达到表面再生，可持续使用的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种硅电极的再生加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566417A
申请号 ：
CN202111423357.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裴翔鹰叶天爱李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202111423357.7
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 B24B37/08 B24B37/04 B24B7/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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