IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置
公开
摘要
本发明涉及IGBT器件，具体为IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置。为了解决现有技术中难以精确测量IGBT器件集射极电压的问题，故提供了一种新的IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置:整流二极管与发射极连接的节点接GND，放大器的反相输入端与第一二极管、第一电阻的节点之间串接有第三电阻、第二二极管，第二二极管与第三电阻的节点通过第二电阻与电源连接，放大器的同相输入端连接于整流二极管与第一电阻的节点，放大器的输出端通过第四电阻连接于第三电阻与放大器的反相输入端的节点，第三电阻与第四电阻的阻值相等，第一二极管与第二二极管的导通压降相等。本发明的可精确、快速检测IGBT的集射极饱和压降。
基本信息
专利标题 ：
IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114295950A
申请号 ：
CN202111428933.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志敏郭佳俞晓丽余华杨伟民王欢欢
申请人 ：
中车永济电机有限公司
申请人地址 ：
山西省运城市永济市电机大街18号
代理机构 ：
太原科卫专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱源
优先权 ：
CN202111428933.7
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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