本发明公开了一种促进霍山米斛生根的培养基的制备方法，包括以下步骤:步骤一、配制生根剂：通过向1,8‑萘二甲酸酐的甲苯溶液中滴加N,N‑二甲基‑1,3‑丙二胺，回流反应，得到萘酐酰胺类主促进剂，然后向萘酐酰胺类主促进剂中添加以1‑萘乙酸为原料的副促进剂，混匀，得到培养基生根剂；步骤二、配制生根基质：将蛭石、珍珠岩和泥炭，混合均匀，灭菌，冷却至室温，制备得到生根基质；步骤三、将生根剂与生根基质按照重量比在无菌条件下混匀，加入到琼脂中，得到培养基；本发明在萘酐酰胺类主促进剂和1‑萘乙酸副促进剂的配合下，对霍山米斛的根系具有很好的促进作用。