单晶硅棒的直径调整方法、装置、电子设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

本申请实施例提供了一种单晶硅棒的直径调整方法、装置、电子设备及存储介质。单晶硅棒的直径调整方法包括:获取已拉制完成的第一单晶硅棒的测量直径,基于所述测量直径计算所述第一单晶硅棒的实际直径,所述测量直径由抛光机测量得到;基于所述实际直径和预设的目标生产直径,调整即将拉制的第二单晶硅棒在等径校准时的目标校准直径。本申请实施例中,一方面,基于调整后的目标校准直径对第二单晶硅棒进行等径校准的准确度更高,从而能够降低第二单晶硅棒的实际直径与目标生产直径的误差;另一方面,利用抛光机测量得到的测量直径的准确度更高,使得基于测量直径计算得到的实际直径的准确度更高,进而调整的目标校准直径的准确度更高。

基本信息
专利标题 :
单晶硅棒的直径调整方法、装置、电子设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114351246A
申请号 :
CN202111433276.5
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-11-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
徐鹏国张建华李朋朋闫颖李博一杨丽马志财买世杰张强何秉轩
申请人 :
银川隆基光伏科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区宝湖西路552号
代理机构 :
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 :
姜影
优先权 :
CN202111433276.5
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26  C30B29/06  G01B21/10  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/26
申请日 : 20211129
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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