一种去除TOPCon电池制作的poly-Si绕镀的添加剂...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种去除TOPCon电池制作的poly‑Si绕镀的添加剂及其清洗工艺，按重量百分比，主要包括以下组分：复合型表面活性剂0.01‑1.0％；脱泡剂0.5‑2.0％；络合剂0.3‑1.0％；正面保护剂0.01‑1.0％；反应促进剂0.5‑1.0％；余量为去离子水。本发明提供的一种去除TOPCon电池制作的poly‑Si绕镀的添加剂及其清洗工艺，本发明的添加剂是在碱体系中进行去绕镀清洗，单晶硅在碱液中的腐蚀本身就具有各向异性特征，搭配本发明添加剂的作用，各向异性会进一步放大，能够保证不破坏硅片中间正常绒面的情况下完成整个绕镀层的清洗。
基本信息
专利标题 ：
一种去除TOPCon电池制作的poly-Si绕镀的添加剂及其清洗工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361290A
申请号 ：
CN202111441752.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩军陈心浩吴家阳周浩王涛彭丽常帅锋
申请人 ：
嘉兴市小辰光伏科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号嘉兴光伏科创园3号楼10F1001室
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊亮亮
优先权 ：
CN202111441752.8
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 C09K13/00 H01L21/02
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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