一种二维磁性半金属材料及其理论计算方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了二维磁性材料性能调控技术领域的一种二维磁性半金属材料及其理论计算方法。该二维磁性半金属材料，具有单层二硒化钒固有的第一硒原子层、钒原子层、第二硒原子层构成的三明治层状结构，以及在第一硒原子层和/或第二硒原子层吸附氧原子形成的氧原子层。通过软件包VASP计算，该二维材料具有半金属特性，自旋极化率达到100％。本发明为二维磁性半金属材料的制备提供依据，在自旋电子学器件小型化应用中具有广阔的前景，对后摩尔时代器件研发具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种二维磁性半金属材料及其理论计算方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361332A
申请号 ：
CN202111448490.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田晓庆玛丽亚姆·基亚尼王向荣鲍里斯·雅克布森
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
范盈
优先权 ：
CN202111448490.8
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 G16C60/00
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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