使用抑制剂的拓扑选择性气相沉积
公开
摘要
本公开总体涉及半导体器件的制造。具体而言，本公开涉及在包括凹部的衬底上沉积层的方法。该方法包括：在反应室中提供包括凹部的衬底，在衬底上沉积抑制材料以用抑制材料填充凹部，从衬底上去除抑制材料以暴露沉积区域，以及通过气相沉积过程在沉积区域上沉积层。还公开了用于执行该方法的气相沉积组件。
基本信息
专利标题 ：
使用抑制剂的拓扑选择性气相沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613722A
申请号 ：
CN202111476212.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A.伊利贝里V.沙尔玛M.吉文斯M.图米恩邓少任
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111476212.3
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 C23C16/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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