本发明涉及电子元器件领域，尤其涉及高压陶瓷电容芯片的并联结构。该结构包括至少两个陶瓷电容芯片；陶瓷电容芯片的一端电极进行导电固定连接，连接处为高压输入端；另一端电极与外部金属连接件导电固定连接，外部金属连接件为低压输出端；陶瓷电容芯片形成并联连接且均匀分布于外部金属连接件内部。外部金属连接件对陶瓷电容芯片起到屏蔽作用，使陶瓷电容芯片在高压智能电网中使用时产生分布均匀的电场从而减少对所传输信号的干扰，并且减少与陶瓷电容芯片所连接的线缆以及其他测量器件产生的杂散电容对陶瓷电容芯片的干扰影响，保证了电压信号的稳定。