止裂结构
公开
摘要
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及止裂结构及制造方法。该结构包括：管芯矩阵，其包括由至少一个划道分隔的多个管芯；以及止裂结构，其包括位于多个管芯中的相邻管芯之间的至少一个划道内的至少一条线。
基本信息
专利标题 ：
止裂结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628334A
申请号 ：
CN202111483663.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉詹·拉株F·G·库臣梅斯特D·布罗伊尔
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111483663.X
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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