一种ZVO／ZnO异质结光催化剂及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
基本信息
专利标题 ：
一种ZVO／ZnO异质结光催化剂及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277346A
申请号 ：
CN202111484191.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
夏钰东周静欧凯张湉倪宇翔唐永亮张文婷王红艳
申请人 ：
西南交通大学
申请人地址 ：
四川省成都市二环路北一段111号
代理机构 ：
成都华飞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶任海
优先权 ：
CN202111484191.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/08 C23C14/58 B01J23/22 B01J35/02 B01J37/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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