本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一种MXene材料的表面修饰方法，是基于熔盐环境中的阴离子配位竞争的MXene表面修饰方法。具体包括将前驱体MAX相材料、路易斯酸熔盐、端基相关的单质元素粉体或端基相关的合金相、以及无机盐混合，高温反应制成MXene材料。本发明方法简单高效，环境友好，避免了使用高毒性、高危险性的氢氟酸溶液作为刻蚀剂制备MXene的诸多缺陷，同时实现了MXene材料表面的化学修饰，通过端基修饰可以有效调控MXenes材料的物理、化学性质，有望进一步促进MXenes的功能应用和大规模制备。