使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力
公开
摘要
本申请案涉及使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力。存储器装置中的控制逻辑识别对存储器单元执行存储器存取操作的请求。致使对应于第一电压斜坡斜率水平的第一组脉冲在所述存储器存取操作的第一时间间隔期间被施加到所述存储器单元。所述控制逻辑致使对应于第二电压斜坡斜率水平的第二组脉冲在所述存储器存取操作的所述执行的第二时间间隔期间被施加到所述存储器单元，其中所述第一斜率水平与所述第二斜率水平不同。
基本信息
专利标题 ：
使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627934A
申请号 ：
CN202111490823.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宁涉洋L·米兰达
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111490823.3
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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