脉冲信号产生电路及存储器
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种脉冲信号产生电路及存储器,包括:第一PMOS管的源极连接电源电压,栅极连接时钟信号的反信号,漏极与第一NMOS管的漏极连接;第一NMOS管的栅极连接第一复位信号的反信号,源极接地;锁存单元的输入端连接第一PMOS管的漏极,输出端触发信号,当时钟信号为高电平时对第一PMOS管漏极的信号进行锁存;第一脉冲信号产生模块,当触发信号为低电平时将第一复位信号设置为高电平,当触发信号为高电平时对第一复位信号缓慢放电,基于两者的与运算得到第一脉冲信号。本发明的脉冲信号不受外部时钟频率影响,稳定性高,且可使NOR FLASH数据读取工作在更宽的频率范围内。

基本信息
专利标题 :
脉冲信号产生电路及存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388016A
申请号 :
CN202111492389.2
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
沈一鹤黄秋钰孙英
申请人 :
中天弘宇集成电路有限责任公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
施婷婷
优先权 :
CN202111492389.2
主分类号 :
G11C7/22
IPC分类号 :
G11C7/22  G11C16/32  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置,例如:I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/22
读写定时或计时电路;读写控制信号发生器或管理
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/22
申请日 : 20211208
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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