一种低VOC排放的硅烷偶联剂及其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低VOC排放的硅烷偶联剂及其制备方法与应用。其中，硅烷偶联剂的结构通式如式(I)或式(II)所示。本发明还提供了由上述硅烷偶联剂表面改性得到的填料以及包含上述表面改性填料的环氧树脂组合物。本发明提供的硅烷偶联剂，其分子中只含有一个或者两个硅氧烷基团，在偶联反应过程中生成的挥发性有机物不仅少于常规硅烷偶联剂，具有较低的VOC排放量，而且提高了填料的表面修饰效率，经其改性的填料与有机树脂具有良好的相容性，改善了填料在有机树脂中的分散性，且较低的醇类物质残留量提高电子封装材料的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种低VOC排放的硅烷偶联剂及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114315887A
申请号 ：
CN202111493248.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜明勇杜晓蒙杨柳强倩倩王宁朱朋莉赵涛孙蓉
申请人 ：
中国科学院深圳先进技术研究院;深圳先进电子材料国际创新研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
范盈
优先权 ：
CN202111493248.2
主分类号 ：
C07F7/18
IPC分类号 ：
C07F7/18 C07F7/20 C08K9/06 C08K3/36 C08L63/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/18
具有1个或更多的C-Si键以及1个或更多的C-O-Si键的化合物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07F 7/18
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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