石墨烯电极的制备装置及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及石墨烯领域领域，公开了一种石墨烯电极的制备方法，包括如下步骤，步骤一、在基底上形成金属纺丝薄膜层；步骤二、在金属纺丝薄膜层上形成石墨烯薄膜。本发明的目的是解决现有石墨烯电极制作精细化程度高的问题，具体提供一种操作简单、精细化程度低的石墨烯电极制备方法。
基本信息
专利标题 ：
石墨烯电极的制备装置及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114283996A
申请号 ：
CN202111493703.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王从元王登诗王炜举亚琪魏大鹏
申请人 ：
重庆石墨烯研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市九龙坡区凤笙路15号附6号
代理机构 ：
重庆知竞合专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李静
优先权 ：
CN202111493703.9
主分类号 ：
H01B13/00
IPC分类号 ：
H01B13/00 H01B5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2022-05-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 13/00
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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