声屏障顶部降噪结构
实质审查的生效
摘要
本发明涉及声屏障顶部降噪结构，由穿孔板结构和二次余数扩散结构组合而成，所述的二次余数扩散结构由设置在穿孔板结构内部空腔中的多个槽组成，所述的穿孔板结构的声阻抗与二次余数扩散结构中各槽的声阻抗匹配。与现有技术相比，本发明在100‑2000Hz的频率范围，均可实现良好的降噪效果。
基本信息
专利标题 ：
声屏障顶部降噪结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351607A
申请号 ：
CN202111500854.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡俊徐轩岳秦铭
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋亮珠
优先权 ：
CN202111500854.2
主分类号 ：
E01F8/00
IPC分类号 ：
E01F8/00
IPC结构图谱
E
E部——固定建筑物
E01
道路、铁路或桥梁的建筑
E01F
附属工程，例如，道路设备和月台、直升机降落台、标志、防雪栅等的修建
E01F8/00
道路或铁路交通的经空气传导的噪音的吸收或反射装置
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : E01F 8/00
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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