一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液
实质审查的生效
摘要
本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于湿法蚀刻锗，得到理想蚀刻锥角的微结构，组成包括氧化剂、氟离子源、表面活性剂、缓冲组合剂和高纯水。氧化剂将锗氧化且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合去除锗的氧化物的作用；表面活性剂降低表面张力起到消泡和润湿作用；锗的蚀刻对pH值非常敏感，pH值对蚀刻晶向有很大的影响，缓冲组合剂用于调控蚀刻液pH值，以获取较高的蚀刻锥角。
基本信息
专利标题 ：
一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114316990A
申请号 ：
CN202111503285.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹印陈麒余迪彭浩万杨阳贺兆波张庭冯凯王书萍
申请人 ：
湖北兴福电子材料有限公司
申请人地址 ：
湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号
代理机构 ：
宜昌市三峡专利事务所
代理人 ：
成钢
优先权 ：
CN202111503285.7
主分类号 ：
C09K13/08
IPC分类号 ：
C09K13/08 C09K13/00 H01L21/306
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
C09K13/08
含一种氟化物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/08
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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