一种降低发射器增益温漂的装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种降低发射器增益温漂的装置及方法，包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；运算放大器的反相输入端与输入端口连接；第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极均与运算放大器的输出端连接；第一NMOS管的漏极和恒流源的正极均与运算放大器的同相输入端连接；第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地；恒流源的负极和负载的第一端均与电源端口连接；负载的第二端和第二NMOS管的漏极均与输出端口连接；本发明在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。
基本信息
专利标题 ：
一种降低发射器增益温漂的装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362684A
申请号 ：
CN202111510154.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范超王丽李勃彦邵志刚
申请人 ：
成都振芯科技股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区高新区高朋大道1号
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺理兴
优先权 ：
CN202111510154.1
主分类号 ：
H03F1/30
IPC分类号 ：
H03F1/30 H03F3/24 H04B1/04
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/30
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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