可控硅假负载自激电路
公开
摘要
本发明公开了一种可控硅假负载自激电路，包括EMI电路，所述EMI电路的输出端与整流电路的输入端连接；所述整流电路的输出端与有源无源泄放电路的输入端连接，所述有源无源泄放电路的输出端与PFC及LLC电路的输入端连接，所述PFC及LLC电路的一个输出端经假负载电路与整流电路的一个输入端连接，所述同步整流电路的一个输出端与反馈环路的一个输入端连接，所述反馈环路的一个输出端与PFC及LLC电路的一个输入端连接，所述单片机电路的一个输出端与调光MOS管电路的另一个输入端连接。所述自激电路具有调光时噪声小，损耗低以及调光过程平滑无频闪等优点。
基本信息
专利标题 ：
可控硅假负载自激电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114302528A
申请号 ：
CN202111512774.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄琪
申请人 ：
苏州欧切斯实业有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区黎里镇临沪大道7667号
代理机构 ：
上海博杰专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱永梅
优先权 ：
CN202111512774.9
主分类号 ：
H05B45/10
IPC分类号 ：
H05B45/10 H05B45/40
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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