一种微通道板的制备方法及由该制备方法制备得到的微通道板
实质审查的生效
摘要

本发明公开微通道板及其制备方法,其制备包括:提供基底;在基底的一个表面上的预选位置形成柱形阵列;在所述基底和柱形阵列的表面上沉积电子倍增材料,形成电子倍增层;在电子倍增层上施加绝缘材料至完全覆盖柱形阵列,形成绝缘层;对得到的结构中绝缘层所在的表面进行磨平、抛光,直至露出柱形阵列的顶端;去除基底并对该结构中与基底相结合的表面进行研磨、抛光,至露出柱形阵列的底端;去除柱形阵列,得到具有通孔且通孔上包覆有电子倍增层的绝缘层结构;分别在该绝缘层结构的上下表面上除通孔外的地方沉积导电材料。解决了微通道板的制备过程中存在的大深宽比孔微孔刻蚀、基材高温长时间处理变形以及微通道内壁薄膜材料均匀制作难的问题。

基本信息
专利标题 :
一种微通道板的制备方法及由该制备方法制备得到的微通道板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496712A
申请号 :
CN202111515816.4
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李兴辉陈海军蔡军
申请人 :
中国电子科技集团公司第十二研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区酒仙桥路13号
代理机构 :
北京正理专利代理有限公司
代理人 :
邹欢
优先权 :
CN202111515816.4
主分类号 :
H01J43/24
IPC分类号 :
H01J43/24  H01J9/02  B81B1/00  B81C1/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J43/00
二次发射管;电子倍增管
H01J43/04
电子倍增器
H01J43/06
电极装置
H01J43/18
主要用一个以上倍增极的电极装置
H01J43/24
沿其表面有电位梯度的倍增极
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 43/24
申请日 : 20211213
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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