一种高压高精度的电流采样电路
实质审查的生效
摘要
一种高压高精度的电流采样电路，包含功率管M1，第一NMOS管NM1，第二NMOS管NM2，第三NMOS管NM3，第四NMOS管NM4，第五NMOS管NM5，第六NMOS管NM6，第七NMOS管NM7，第八NMOS管NM8，第九NMOS管NM9，第十NMOS管NM10，第十一NMOS管NM11，第十二NMOS管NM12，第十三NMOS管NM13，第十四NMOS管NM14，第一PMOS管PM1，第二PMOS管PM2，第三PMOS管PM3，第四PMOS管PM4，第五PMOS管PM5，第六PMOS管PM6，第七PMOS管PM7，第八PMOS管PM8，第一电阻R1，第二电阻R2，第一电容C1，第二电容C2，第一反相器U1。本发明可用于对Boost电路的电流采样，通过设置与功率管尺寸成比例的镜像管，达到实时、精准的监控功率管电流的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种高压高精度的电流采样电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114384304A
申请号 ：
CN202111516436.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
宜矽源半导体南京有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区星火路9号软件大厦B座401-402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111516436.2
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 G01R19/25
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 19/00
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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