一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于金属材料制备领域，公开了一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法。该方法包括：将金属材料熔化后，得到金属熔体；将金属熔体置于低压脉冲磁场中，进行低压脉冲磁场净化处理，得到净化的金属熔体。本发明根据金属材料种类和非金属夹杂尺寸等不同情况，调节低压脉冲磁场励磁电压、频率、处理温度、处理时间等参数，利用低压脉冲磁场在熔体中形成的反向挤压力，驱动非金属夹杂在熔体中发生定向迁移，从而实现低压脉冲磁场作用下的熔体净化。
基本信息
专利标题 ：
一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114317993A
申请号 ：
CN202111520026.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯小辉杨院生李应举罗天骄黄秋燕郑策曹天慧
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
高爽
优先权 ：
CN202111520026.5
主分类号 ：
C22B9/00
IPC分类号 ：
C22B9/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22B
金属的生产或精炼；原材料的预处理
C22B9/00
金属精炼或重熔的一般方法；金属电渣或电弧重熔的设备
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22B 9/00
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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