一种提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于光伏器件制备领域，具体为一种提高二氧化锡‑卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法。将L‑天冬氨酸盐分散至去离子水中，配置成L‑天冬氨酸盐溶液；将L‑天冬氨酸盐溶液旋涂于表面沉积有SnO2电子传输材料的导电玻璃基片上，在100～200℃下退火10～30分钟，得到L‑天冬氨酸盐‑SnO2薄膜；L‑天冬氨酸盐‑SnO2薄膜置于紫外臭氧清洗机中，处理10～30分钟；将卤化铅钙钛矿前驱体溶液滴于上述薄膜表面，浸渍5～10秒，之后启动旋涂机，滴加反极性溶剂，旋涂结束后，将基片置于加热台上热处理后制备卤化铅钙钛矿薄膜。由于L‑天冬氨酸在钙钛矿前驱体中的溶解度极低，L‑天冬氨酸分子得以保存在SnO2/卤化铅钙钛矿界面处，钝化界面缺陷，进而提高SnO2/卤化铅钙钛矿界面处的电子传输效率。
基本信息
专利标题 ：
一种提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373870A
申请号 ：
CN202111537997.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱建航王立鹏翟朝峰邰凯平姜辛
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张志伟
优先权 ：
CN202111537997.0
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/46 H01L51/42
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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