一种防总线漏电的M-LVDS驱动电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种防总线漏电的M‑LVDS驱动电路，属于集成电路I/O端口领域，包括次级电源和与其相连的主驱动电路，以及开关管、浮衬电路；所述次级电源包含两级电源，分别为主驱动电路供电，以精确控制开关管，并且减小开关管对电源的噪声影响；所述浮衬电路与开关管相连，减小开关管的衬偏效应，在电源掉电时有效防止总线电流倒灌至电源，提高开关管的工作效率。本发明将传统M‑LVDS驱动电路中的输入控制信号通过次级电源进行处理，可以隔离开关信号对电源的干扰。内置防电流倒灌结构，并且把传统M‑LVDS电路中PMOS开关管的衬底结构替换成二极管接法的NMOS对，降低了PMOS开关管的衬偏效应，避免了冷备份时端口信号到电源之间的潜通，防止总线漏电。
基本信息
专利标题 ：
一种防总线漏电的M-LVDS驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114268080A
申请号 ：
CN202111552556.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王展锋邹家轩谢雨蒙
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111552556.8
主分类号 ：
H02H7/22
IPC分类号 ：
H02H7/22 H02H3/26 H02H11/00
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02H 7/22
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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