基于F-P干涉原理的RRAM噪声检测装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于F‑P干涉原理的RRAM噪声检测装置，包括屏蔽箱，屏蔽箱内部设置有直流偏置电路，直流偏置电路通过刺刀螺母连接器BNC转接头与屏蔽箱外部的光纤传感器连接，窄带光源与光电耦合器连接后与光纤传感器连接，光纤传感器输出端经光电耦合器后与光电二极管连接，光电二极管与示波器连接。本发明还公开了一种基于F‑P干涉原理的RRAM噪声检测装置的检测方法，本发明解决了现有技术中存在的测量噪声的精度低、外部设备干扰以及设备限制大的问题。
基本信息
专利标题 ：
基于F-P干涉原理的RRAM噪声检测装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446352A
申请号 ：
CN202111561281.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张嘉伟张贵权王力秦司晨
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
王敏强
优先权 ：
CN202111561281.4
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00 G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 13/00
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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