RRAM阵列求和运算电路及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种RRAM阵列求和运算电路及方法,所述RRAM阵列求和运算电路包括:电流输入单元,用于提供多路待运算电流;第一电流镜单元,与所述电流输入单元电连接,用于将所述多路待运算电流按照第一比例缩放后输出;第二电流镜单元,与所述第一电流镜单元电连接,用于将所述第一电流镜单元输出的电流按照第二比例缩放;第三电流镜单元,分别与所述第一电流镜单元和所述第二电流镜单元电连接,用于将所述第二电流镜单元输出的电流按照第三比例缩放后并维持;输出单元,与所述第二电流镜单元电连接,用于将所述第二电流镜单元的电流按照预设比例缩放后输出,本发明能够以较低的功耗完成多路阵列电流的加权求和,而且能够有效减小误差。
基本信息
专利标题 :
RRAM阵列求和运算电路及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114281149A
申请号 :
CN202111574885.2
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
余学儒李琛段杰斌田畔张飞翔
申请人 :
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
代理机构 :
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄海霞
优先权 :
CN202111574885.2
主分类号 :
G05F3/26
IPC分类号 :
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 3/26
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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