本发明公开一种化学抛光用硅溶胶的制备方法和应用，属于半导体化学抛光材料技术领域。本发明采用传统硅酸水解法和硅粉水解法相结合的方法制备进行硅溶胶造粒，原材料容易获得，制备工艺流程可量产化，无需进行设备改造，大大节约成本及人工培训成本。在造粒过程中引入硅粉硅粉作为硅源，能使造粒用种子粒子平均密度更高，有利于增大表面活化能，有利于再次粒子增长。制得大粒径硅溶胶粒子硬度更高，在终端应用过程中表现出更高的表面能，抛光速率更高，粒子的耐受性更强。本发明得到的硅溶胶颗粒平均粒径在100纳米左右，稳定性好，无团聚，应用于化学抛光，抛光速率快，去除率高，可大幅提升抛光效率。